SIR5102DP-T1-RE3
Nombor Produk Pengeluar:

SIR5102DP-T1-RE3

Product Overview

Pengeluar:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

SIR5102DP-T1-RE3-DG

Penerangan:

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Penerangan Terperinci:
N-Channel 100 V 27A (Ta), 110A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventori:

5853 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12964722
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
hSmo
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

SIR5102DP-T1-RE3 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
TrenchFET® Gen V
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
100 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
27A (Ta), 110A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
7.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2850 pF @ 50 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® SO-8
Pakej / Kes
PowerPAK® SO-8

Lembaran data & Dokumen

Helaian data
SIR5102DP

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
3,000
Nama lain
742-SIR5102DP-T1-RE3CT
742-SIR5102DP-T1-RE3DKR
742-SIR5102DP-T1-RE3TR

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Berkaitan
vishay-siliconix

SI1405BDH-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6

vishay-siliconix

SIJH800E-T1-GE3

N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

panjit

PJC7438_R1_00001

SOT-323, MOSFET

vishay-siliconix

SQJ180EP-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)