SIHG22N60E-GE3
Nombor Produk Pengeluar:

SIHG22N60E-GE3

Product Overview

Pengeluar:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

SIHG22N60E-GE3-DG

Penerangan:

MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Penerangan Terperinci:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventori:

498 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12965891
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
nuLb
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

SIHG22N60E-GE3 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tube
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
600 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
21A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1920 pF @ 100 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
227W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-247AC
Pakej / Kes
TO-247-3
Nombor Produk Asas
SIHG22

Lembaran data & Dokumen

Helaian data
SIHG22N60E

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
25

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Berkaitan
vishay-siliconix

SIHG24N65E-E3

MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

vishay-siliconix

SIHG73N60AEL-GE3

MOSFET N-CH 600V 69A TO247AC

vishay-siliconix

SIR172ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIR158DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8