SIHA11N80E-GE3
Nombor Produk Pengeluar:

SIHA11N80E-GE3

Product Overview

Pengeluar:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

SIHA11N80E-GE3-DG

Penerangan:

MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Penerangan Terperinci:
N-Channel 800 V 12A (Tc) 34W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

Inventori:

1334 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12965807
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

SIHA11N80E-GE3 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tube
Siri
E
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
800 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
12A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
440mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1670 pF @ 100 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
34W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-220 Full Pack
Pakej / Kes
TO-220-3 Full Pack
Nombor Produk Asas
SIHA11

Lembaran data & Dokumen

Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
50

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
vishay-siliconix

SQJA04EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SQ3426AEEV-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP

vishay-siliconix

SI4876DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 14A 8SO

vishay-siliconix

SQJ431AEP-T1_GE3

MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8