SI2333DDS-T1-GE3
Nombor Produk Pengeluar:

SI2333DDS-T1-GE3

Product Overview

Pengeluar:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

SI2333DDS-T1-GE3-DG

Penerangan:

MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Penerangan Terperinci:
P-Channel 12 V 6A (Tc) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventori:

16839 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12917664
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
jK3w
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

SI2333DDS-T1-GE3 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
12 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
6A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
1.5V, 4.5V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
28mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
35 nC @ 8 V
Vgs (Maks)
±8V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1275 pF @ 6 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
SOT-23-3 (TO-236)
Pakej / Kes
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Nombor Produk Asas
SI2333

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
3,000
Nama lain
SI2333DDS-T1-GE3CT
SI2333DDS-T1-GE3TR
SI2333DDST1GE3
SI2333DDS-T1-GE3DKR

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
vishay-siliconix

SI8429DB-T1-E1

MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT

vishay-siliconix

SI3483CDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP

vishay-siliconix

SQJA84EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 80V 46A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHS36N50D-E3

MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247