Nombor Produk Pengeluar:
SI2316BDS-T1-GE3
Product Overview
Pengeluar:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
SI2316BDS-T1-GE3-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Penerangan Terperinci:
N-Channel 30 V 4.5A (Tc) 1.25W (Ta), 1.66W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventori:
61123 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12914813
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
cD3d
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
SI2316BDS-T1-GE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
30 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
50mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
9.6 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
350 pF @ 15 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
SOT-23-3 (TO-236)
Pakej / Kes
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Nombor Produk Asas
SI2316
Lembaran data & Dokumen
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
3,000
Nama lain
SI2316BDST1GE3
SI2316BDS-T1-GE3TR
SI2316BDS-T1-GE3DKR
SI2316BDS-T1-GE3CT
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
SIA417DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
IRFPS30N60KPBF
MOSFET N-CH 600V 30A SUPER247
SI4636DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
