Nombor Produk Pengeluar:
IRFD120
Product Overview
Pengeluar:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
IRFD120-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Penerangan Terperinci:
N-Channel 100 V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventori:
12911956
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
IRFD120 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
-
Siri
-
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
100 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
270mOhm @ 780mA, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
360 pF @ 25 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
1.3W (Ta)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
4-HVMDIP
Pakej / Kes
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Nombor Produk Asas
IRFD120
Lembaran data & Dokumen
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
2,500
Nama lain
*IRFD120
IRFD122
IRFD121
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
RoHS non-compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMBOR BAHAGIAN
IRFD120PBF
PENGELUAR
Vishay Siliconix
JUMLAH TERSATU
5890
NOMBOR BAHAGIAN
IRFD120PBF-DG
HARGA UNIT
0.47
JENIS SUBSTITUSI
Direct
NOMBOR BAHAGIAN
IRFD123PBF
PENGELUAR
Vishay Siliconix
JUMLAH TERSATU
6628
NOMBOR BAHAGIAN
IRFD123PBF-DG
HARGA UNIT
0.47
JENIS SUBSTITUSI
Parametric Equivalent
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
IXFQ14N80P
MOSFET N-CH 800V 14A TO3P
IXTA180N085T7
MOSFET N-CH 85V 180A TO263-7
IRFR214TRL
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
