Nombor Produk Pengeluar:
IRFBE30PBF
Product Overview
Pengeluar:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
IRFBE30PBF-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Penerangan Terperinci:
N-Channel 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventori:
2597 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12924620
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
IRFBE30PBF Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tube
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
800 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
125W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-220AB
Pakej / Kes
TO-220-3
Nombor Produk Asas
IRFBE30
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
50
Nama lain
*IRFBE30PBF
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
JANTX2N6760
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO204AA
JANTX2N7227U
MOSFET N-CH 400V 14A TO267AB
FDN337N
MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
