Nombor Produk Pengeluar:
IRFB9N60APBF
Product Overview
Pengeluar:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
IRFB9N60APBF-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Penerangan Terperinci:
N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventori:
2220 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12911765
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
IRFB9N60APBF Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
Tube
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
600 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
9.2A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
750mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
170W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-220AB
Pakej / Kes
TO-220-3
Nombor Produk Asas
IRFB9N60
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
50
Nama lain
*IRFB9N60APBF
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
IRFI9640GPBF
MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220-3
SI2333DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
IRFI830G
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
