2N6661-2
Nombor Produk Pengeluar:

2N6661-2

Product Overview

Pengeluar:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

2N6661-2-DG

Penerangan:

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Penerangan Terperinci:
N-Channel 90 V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39

Inventori:

RFQ Dalam Talian
12893005
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

2N6661-2 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Vishay
Pembungkusan
-
Siri
-
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
90 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
860mA (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
50 pF @ 25 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-39
Pakej / Kes
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Nombor Produk Asas
2N6661

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
20

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
RoHS non-compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Model Alternatif

NOMBOR BAHAGIAN
2N6661
PENGELUAR
Solid State Inc.
JUMLAH TERSATU
6694
NOMBOR BAHAGIAN
2N6661-DG
HARGA UNIT
4.60
JENIS SUBSTITUSI
MFR Recommended
Sijil DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Berkaitan
vishay-siliconix

IRF520S

MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK

vishay-siliconix

IRF740BPBF

MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB

vishay-siliconix

2N6660

MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

vishay-siliconix

IRF510STRRPBF

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263