UF3C120080B7S
Nombor Produk Pengeluar:

UF3C120080B7S

Product Overview

Pengeluar:

Qorvo

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

UF3C120080B7S-DG

Penerangan:

SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Penerangan Terperinci:
N-Channel 1200 V 28.8A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

Inventori:

4979 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12983074
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

UF3C120080B7S Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Qorvo
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
1200 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
28.8A (Tc)
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
105mOhm @ 20A, 12V
Vgs(th) (Maks) @ Id
6V @ 10mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
23 nC @ 12 V
Vgs (Maks)
±25V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
754 pF @ 100 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
190W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
D2PAK-7
Pakej / Kes
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Nombor Produk Asas
UF3C120080

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
800
Nama lain
2312-UF3C120080B7STR
2312-UF3C120080B7SCT
2312-UF3C120080B7SDKR

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
fairchild-semiconductor

FQB25N33TM-F085

MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K341R,LXHF

AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT23F

rohm-semi

RF4L040ATTCR

PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS

infineon-technologies

IAUC120N04S6L012ATMA1

IAUC120N04S6L012ATMA1