Nombor Produk Pengeluar:
TPH3202PD
Product Overview
Pengeluar:
Transphorm
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
TPH3202PD-DG
Penerangan:
GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Penerangan Terperinci:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventori:
13446567
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
TPH3202PD Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Transphorm
Pembungkusan
-
Siri
-
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
600 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
9A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
350mOhm @ 5.5A, 8V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±18V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
760 pF @ 480 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
65W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-220AB
Pakej / Kes
TO-220-3
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
50
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMBOR BAHAGIAN
STP15N60M2-EP
PENGELUAR
STMicroelectronics
JUMLAH TERSATU
334
NOMBOR BAHAGIAN
STP15N60M2-EP-DG
HARGA UNIT
0.76
JENIS SUBSTITUSI
Similar
NOMBOR BAHAGIAN
TK10E60W,S1VX
PENGELUAR
Toshiba Semiconductor and Storage
JUMLAH TERSATU
30
NOMBOR BAHAGIAN
TK10E60W,S1VX-DG
HARGA UNIT
1.31
JENIS SUBSTITUSI
Similar
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
TPH3206LDB
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
TPH3208LSG
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
TP65H070LSG
GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN