TP65H035WS
Nombor Produk Pengeluar:

TP65H035WS

Product Overview

Pengeluar:

Transphorm

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

TP65H035WS-DG

Penerangan:

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Penerangan Terperinci:
N-Channel 650 V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventori:

863 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13446889
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

TP65H035WS Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Transphorm
Pembungkusan
Tube
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
650 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
46.5A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
12V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.8V @ 1mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
156W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-247-3
Pakej / Kes
TO-247-3
Nombor Produk Asas
TP65H035

Lembaran data & Dokumen

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
30

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
transphorm

TPH3208PS

GANFET N-CH 650V 20A TO220AB

transphorm

TP65H050WS

GANFET N-CH 650V 34A TO247-3

rohm-semi

RH6P030BG

TRANS MOSFET N-CH SMD

onsemi

NVBG020N120SC1

MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK