Nombor Produk Pengeluar:
TPN1110ENH,L1Q
Product Overview
Pengeluar:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
TPN1110ENH,L1Q-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Penerangan Terperinci:
N-Channel 200 V 7.2A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventori:
34748 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12891567
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
TPN1110ENH,L1Q Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
U-MOSVIII-H
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
200 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
7.2A (Ta)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
114mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 200µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
600 pF @ 100 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
700mW (Ta), 39W (Tc)
Suhu Operasi
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Pakej / Kes
8-PowerVDFN
Nombor Produk Asas
TPN1110
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
5,000
Nama lain
TPN1110ENHL1QCT
TPN1110ENHL1QTR
TPN1110ENHL1QDKR
TPN1110ENH,L1Q(M
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
RoHS Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
DMN2025UFDF-7
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
TPH14006NH,L1Q
MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
TK14N65W,S1F
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
