TPN1110ENH,L1Q
Nombor Produk Pengeluar:

TPN1110ENH,L1Q

Product Overview

Pengeluar:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

TPN1110ENH,L1Q-DG

Penerangan:

MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Penerangan Terperinci:
N-Channel 200 V 7.2A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)

Inventori:

34748 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12891567
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

TPN1110ENH,L1Q Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
U-MOSVIII-H
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
200 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
7.2A (Ta)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
114mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 200µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
600 pF @ 100 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
700mW (Ta), 39W (Tc)
Suhu Operasi
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Pakej / Kes
8-PowerVDFN
Nombor Produk Asas
TPN1110

Lembaran data & Dokumen

Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
5,000
Nama lain
TPN1110ENHL1QCT
TPN1110ENHL1QTR
TPN1110ENHL1QDKR
TPN1110ENH,L1Q(M

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
RoHS Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
diodes

DMN2025UFDF-7

MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH14006NH,L1Q

MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV

toshiba-semiconductor-and-storage

TK14N65W,S1F

MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6J503NU,LF

MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB