Nombor Produk Pengeluar:
TK32E12N1,S1X
Product Overview
Pengeluar:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
TK32E12N1,S1X-DG
Penerangan:
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Penerangan Terperinci:
N-Channel 120 V 60A (Tc) 98W (Tc) Through Hole TO-220
Inventori:
78 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12889193
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
TK32E12N1,S1X Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pembungkusan
Tube
Siri
U-MOSVIII-H
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
120 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
13.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 500µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2000 pF @ 60 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
98W (Tc)
Suhu Operasi
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-220
Pakej / Kes
TO-220-3
Nombor Produk Asas
TK32E12
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
50
Nama lain
TK32E12N1S1X
TK32E12N1,S1X(S
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
TK4A60DB(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
TK4P50D(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
TK20A60W,S5VX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
