Nombor Produk Pengeluar:
RN4990FE,LF(CT
Product Overview
Pengeluar:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
RN4990FE,LF(CT-DG
Penerangan:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Penerangan Terperinci:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventori:
12891092
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
RN4990FE,LF(CT Spesifikasi Teknikal
Kategori
Bipolar (BJT), Array Transistor Bipolar, Pra-Biased
Pengeluar
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis Transistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Semasa - Pengumpul (Ic) (Maks)
100mA
Voltan - Pecahan Pemancar Pemungut (Maks)
50V
Perintang - Asas (R1)
4.7kOhms
Perintang - Pangkalan Pemancar (R2)
-
Keuntungan Arus DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Semasa - Pemotongan Pemungut (Maks)
100nA (ICBO)
Kekerapan - Peralihan
250MHz, 200MHz
Kuasa - Maks
100mW
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
SOT-563, SOT-666
Pakej Peranti Pembekal
ES6
Nombor Produk Asas
RN4990
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
4,000
Nama lain
RN4990FELF(CBDKR-DG
RN4990FE(T5LFT)DKR
RN4990FELF(CTCT
RN4990FELF(CTDKR
RN4990FELF(CBTR
RN4990FE(T5LFT)TR-DG
RN4990FELF(CBCT-DG
RN4990FE(T5LFT)TR
RN4990FE,LF(CB
RN4990FELF(CBTR-DG
RN4990FE(T5LFT)DKR-DG
RN4990FE(T5L,F,T)
RN4990FELF(CBDKR
RN4990FE(T5LFT)CT-DG
RN4990FELF(CBCT
RN4990FELF(CTTR
RN4990FE(T5LFT)CT
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Model Alternatif
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
RN2507(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
RN4983,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1911FETE85LF
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6