RN2708JE(TE85L,F)
Nombor Produk Pengeluar:

RN2708JE(TE85L,F)

Product Overview

Pengeluar:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

RN2708JE(TE85L,F)-DG

Penerangan:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Penerangan Terperinci:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV

Inventori:

2990 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12890327
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
76O7
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

RN2708JE(TE85L,F) Spesifikasi Teknikal

Kategori
Bipolar (BJT), Array Transistor Bipolar, Pra-Biased
Pengeluar
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis Transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Semasa - Pengumpul (Ic) (Maks)
100mA
Voltan - Pecahan Pemancar Pemungut (Maks)
50V
Perintang - Asas (R1)
22kOhms
Perintang - Pangkalan Pemancar (R2)
47kOhms
Keuntungan Arus DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Semasa - Pemotongan Pemungut (Maks)
100nA (ICBO)
Kekerapan - Peralihan
200MHz
Kuasa - Maks
100mW
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
SOT-553
Pakej Peranti Pembekal
ESV
Nombor Produk Asas
RN2708

Lembaran data & Dokumen

Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
4,000
Nama lain
RN2708JE(TE85LF)CT
RN2708JE(TE85LF)DKR
RN2708JE(TE85LF)TR

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
RoHS Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2904FE,LF

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1710,LF

NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2909(T5L,F,T)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4902FE(TE85L,F)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6