Nombor Produk Pengeluar:
RN2109ACT(TPL3)
Product Overview
Pengeluar:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
RN2109ACT(TPL3)-DG
Penerangan:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Penerangan Terperinci:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
Inventori:
9900 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12889310
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
RN2109ACT(TPL3) Spesifikasi Teknikal
Kategori
Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Pra-Bias Tunggal
Pengeluar
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pembungkusan
Cut Tape (CT)
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis Transistor
PNP - Pre-Biased
Semasa - Pengumpul (Ic) (Maks)
80 mA
Voltan - Pecahan Pemancar Pemungut (Maks)
50 V
Perintang - Asas (R1)
47 kOhms
Perintang - Pangkalan Pemancar (R2)
22 kOhms
Keuntungan Arus DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Semasa - Pemotongan Pemungut (Maks)
500nA
Kuasa - Maks
100 mW
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
SC-101, SOT-883
Pakej Peranti Pembekal
CST3
Nombor Produk Asas
RN2109
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
10,000
Nama lain
RN2109ACT(TPL3)TR
RN2109ACT(TPL3)CT
RN2109ACT(TPL3)DKR
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
RoHS Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Model Alternatif
NOMBOR BAHAGIAN
MUN5137T1G
PENGELUAR
onsemi
JUMLAH TERSATU
0
NOMBOR BAHAGIAN
MUN5137T1G-DG
HARGA UNIT
0.01
JENIS SUBSTITUSI
Similar
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
RN1131MFV(TL3,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN1110(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN1112ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3