Nombor Produk Pengeluar:
RN1910FE(T5L,F,T)
Product Overview
Pengeluar:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
RN1910FE(T5L,F,T)-DG
Penerangan:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Penerangan Terperinci:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventori:
12889612
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
RN1910FE(T5L,F,T) Spesifikasi Teknikal
Kategori
Bipolar (BJT), Array Transistor Bipolar, Pra-Biased
Pengeluar
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pembungkusan
-
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis Transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Semasa - Pengumpul (Ic) (Maks)
100mA
Voltan - Pecahan Pemancar Pemungut (Maks)
50V
Perintang - Asas (R1)
4.7kOhms
Perintang - Pangkalan Pemancar (R2)
-
Keuntungan Arus DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Semasa - Pemotongan Pemungut (Maks)
100nA (ICBO)
Kekerapan - Peralihan
250MHz
Kuasa - Maks
100mW
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
SOT-563, SOT-666
Pakej Peranti Pembekal
ES6
Nombor Produk Asas
RN1910
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
4,000
Nama lain
RN1910FE(T5LFT)CT
RN1910FE(T5LFT)TR
RN1910FE(T5LFT)DKR
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
RoHS Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Model Alternatif
NOMBOR BAHAGIAN
NSBC143TDXV6T1G
PENGELUAR
onsemi
JUMLAH TERSATU
0
NOMBOR BAHAGIAN
NSBC143TDXV6T1G-DG
HARGA UNIT
0.05
JENIS SUBSTITUSI
Similar
NOMBOR BAHAGIAN
PUMH7,115
PENGELUAR
Nexperia USA Inc.
JUMLAH TERSATU
12777
NOMBOR BAHAGIAN
PUMH7,115-DG
HARGA UNIT
0.03
JENIS SUBSTITUSI
Similar
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
RN4981FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN1507(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
RN2910FE,LF(CT
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6