Nombor Produk Pengeluar:
RN1909FE(TE85L,F)
Product Overview
Pengeluar:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
RN1909FE(TE85L,F)-DG
Penerangan:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Penerangan Terperinci:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventori:
3948 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12889550
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
RN1909FE(TE85L,F) Spesifikasi Teknikal
Kategori
Bipolar (BJT), Array Transistor Bipolar, Pra-Biased
Pengeluar
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis Transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Semasa - Pengumpul (Ic) (Maks)
100mA
Voltan - Pecahan Pemancar Pemungut (Maks)
50V
Perintang - Asas (R1)
47kOhms
Perintang - Pangkalan Pemancar (R2)
22kOhms
Keuntungan Arus DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Semasa - Pemotongan Pemungut (Maks)
100nA (ICBO)
Kekerapan - Peralihan
250MHz
Kuasa - Maks
100mW
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
SOT-563, SOT-666
Pakej Peranti Pembekal
ES6
Nombor Produk Asas
RN1909
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
4,000
Nama lain
RN1909FE(TE85LF)DKR
RN1909FE(TE85LF)TR
RN1909FE(TE85LF)CT
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
RoHS Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
RN4611(TE85L,F)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
RN1910,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
RN1904,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
