Nombor Produk Pengeluar:
RN1708,LF
Product Overview
Pengeluar:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
RN1708,LF-DG
Penerangan:
NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
Penerangan Terperinci:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV
Inventori:
2753 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12891273
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
RN1708,LF Spesifikasi Teknikal
Kategori
Bipolar (BJT), Array Transistor Bipolar, Pra-Biased
Pengeluar
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis Transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Semasa - Pengumpul (Ic) (Maks)
100mA
Voltan - Pecahan Pemancar Pemungut (Maks)
50V
Perintang - Asas (R1)
22kOhms
Perintang - Pangkalan Pemancar (R2)
47kOhms
Keuntungan Arus DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Semasa - Pemotongan Pemungut (Maks)
500nA
Kekerapan - Peralihan
250MHz
Kuasa - Maks
200mW
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Pakej Peranti Pembekal
USV
Nombor Produk Asas
RN1708
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
3,000
Nama lain
264-RN1708,LFCT
264-RN1708,LFDKR
RN1708LFDKR
RN1708,LF(B
RN1708LFTR
RN1708LFCT
RN1708LFDKR-DG
264-RN1708,LFTR
RN1708LFTR-DG
RN1708LFCT-DG
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
RN1706JE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
RN1601(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
RN2909,LF(CT
PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH