Nombor Produk Pengeluar:
2SK3906(Q)
Product Overview
Pengeluar:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
2SK3906(Q)-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
Penerangan Terperinci:
N-Channel 600 V 20A (Ta) 150W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Inventori:
12891357
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
fAjV
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
2SK3906(Q) Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pembungkusan
-
Siri
-
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
600 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
20A (Ta)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
330mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 1mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4250 pF @ 25 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
150W (Tc)
Suhu Operasi
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-3P(N)
Pakej / Kes
TO-3P-3, SC-65-3
Nombor Produk Asas
2SK3906
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
50
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
TPH1R712MD,L1Q
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
TK5A65DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220SIS
TPHR9003NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
