Nombor Produk Pengeluar:
2SK3798(STA4,Q,M)
Product Overview
Pengeluar:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
2SK3798(STA4,Q,M)-DG
Penerangan:
POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220(S
Penerangan Terperinci:
N-Channel 900 V 4A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventori:
12987734
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
K5CC
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
2SK3798(STA4,Q,M) Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pembungkusan
Tube
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
900 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
4A (Ta)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 1mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
800 pF @ 25 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
40W (Tc)
Suhu Operasi
150°C
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-220SIS
Pakej / Kes
TO-220-3 Full Pack
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
50
Nama lain
264-2SK3798(STA4,Q,M)-DG
264-2SK3798(STA4QM)
264-2SK3798(STA4,Q,M)
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
DI020P06PT
MOSFET PWRQFN 3X3 -60V 0.045OHM
IAUC120N04S6N006ATMA1
IAUC120N04S6N006ATMA1
TW015N120C,S1F
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO