TPS1101DR
Nombor Produk Pengeluar:

TPS1101DR

Product Overview

Pengeluar:

Texas Instruments

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

TPS1101DR-DG

Penerangan:

MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
Penerangan Terperinci:
P-Channel 15 V 2.3A (Ta) 791mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventori:

12816372
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

TPS1101DR Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Texas Instruments
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
15 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
2.7V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.5V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
11.25 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
+2V, -15V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
791mW (Ta)
Suhu Operasi
-40°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
8-SOIC
Pakej / Kes
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Nombor Produk Asas
TPS1101

Lembaran data & Dokumen

Halaman Produk Pengilang
Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
2,500
Nama lain
TPS1101DRG4
TPS1101DRG4-DG

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Model Alternatif

NOMBOR BAHAGIAN
FDS6375
PENGELUAR
onsemi
JUMLAH TERSATU
2121
NOMBOR BAHAGIAN
FDS6375-DG
HARGA UNIT
0.32
JENIS SUBSTITUSI
MFR Recommended
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
infineon-technologies

IPW60R199CPFKSA1

MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3

infineon-technologies

IRF6678TRPBF

MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET

texas-instruments

CSD25303W1015

MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

epc

EPC2212

GANFET N-CH 100V 18A DIE