Nombor Produk Pengeluar:
SCT2160KEGC11
Product Overview
Pengeluar:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
SCT2160KEGC11-DG
Penerangan:
1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
Penerangan Terperinci:
N-Channel 1200 V 22A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-247N
Inventori:
12967387
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
SCT2160KEGC11 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
ROHM Semiconductor
Pembungkusan
Tube
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
1200 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
22A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
18V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
208mOhm @ 7A, 18V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 2.5mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
62 nC @ 18 V
Vgs (Maks)
+22V, -6V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1200 pF @ 800 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
165W (Tc)
Suhu Operasi
175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-247N
Pakej / Kes
TO-247-3
Nombor Produk Asas
SCT2160
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
450
Nama lain
846-SCT2160KEGC11
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMBOR BAHAGIAN
SCT2160KEHRC11
PENGELUAR
Rohm Semiconductor
JUMLAH TERSATU
424
NOMBOR BAHAGIAN
SCT2160KEHRC11-DG
HARGA UNIT
12.61
JENIS SUBSTITUSI
Parametric Equivalent
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
R6530ENZ4C13
650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWER
R6504KND3TL1
HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 4
NTD4N60T4
TRANS MOSFET N-CH 600V 4A 3-PIN(
