Nombor Produk Pengeluar:
RS6R060BHTB1
Product Overview
Pengeluar:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
RS6R060BHTB1-DG
Penerangan:
NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Penerangan Terperinci:
N-Channel 150 V 60A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventori:
4875 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12988123
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
RS6R060BHTB1 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
ROHM Semiconductor
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
150 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
6V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
21.8mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 1mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2750 pF @ 75 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
104W (Tc)
Suhu Operasi
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
8-HSOP
Pakej / Kes
8-PowerTDFN
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
2,500
Nama lain
846-RS6R060BHTB1CT
846-RS6R060BHTB1DKR
846-RS6R060BHTB1TR
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
G20P06K
P-60V, -20A,RD<45M@-10V,VTH-2V~-
IPDQ60R040S7XTMA1
HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
TK2P90E,RQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
