RS6L120BGTB1
Nombor Produk Pengeluar:

RS6L120BGTB1

Product Overview

Pengeluar:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

RS6L120BGTB1-DG

Penerangan:

NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Penerangan Terperinci:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Inventori:

2236 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13001101
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

RS6L120BGTB1 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
ROHM Semiconductor
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
60 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 1mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3520 pF @ 30 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
104W (Tc)
Suhu Operasi
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
8-HSOP
Pakej / Kes
8-PowerTDFN

Lembaran data & Dokumen

Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
2,500
Nama lain
846-RS6L120BGTB1CT
846-RS6L120BGTB1TR
846-RS6L120BGTB1DKR

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
goford-semiconductor

G11S

P-20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX

nexperia

PMPB07R0UNAX

SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE

panjit

PJA3434_R2_00001

MOSFET 20V 750MA SOT-23

infineon-technologies

IPP014N06NF2SAKMA2

TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3