RS6G100BGTB1
Nombor Produk Pengeluar:

RS6G100BGTB1

Product Overview

Pengeluar:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

RS6G100BGTB1-DG

Penerangan:

NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE
Penerangan Terperinci:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 3W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Inventori:

2423 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12990005
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

RS6G100BGTB1 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
ROHM Semiconductor
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
40 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 1mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1510 pF @ 20 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
3W (Ta), 59W (Tc)
Suhu Operasi
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
8-HSOP
Pakej / Kes
8-PowerTDFN

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
2,500
Nama lain
846-RS6G100BGTB1DKR
846-RS6G100BGTB1CT
846-RS6G100BGTB1TR

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
rohm-semi

RS6L090BGTB1

NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET

rohm-semi

RS6P060BHTB1

NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE

rohm-semi

RD3L03BBGTL1

NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE

diodes

DMTH45M5LPSW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506