RS6G100BGTB1

Nombor Produk Pengeluar:

RS6G100BGTB1

Product Overview

Pengeluar:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

RS6G100BGTB1-DG

Penerangan:

NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE

Penerangan Terperinci:

N-Channel 40 V 100A (Tc) 3W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Inventori:

2423 Pcs Baru Asli Dalam Stok

12990005

Minta Sebut Harga

Kuantiti
Minimum 1

(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam

HANTAR

RS6G100BGTB1 Spesifikasi Teknikal

Kategori

FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET

Pengeluar

ROHM Semiconductor

Pembungkusan

Tape & Reel (TR)

Siri

-

Status Produk

Active

Jenis FET

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

40 V

Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C

100A (Tc)

Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)

4.5V, 10V

Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs

3.4mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.5V @ 1mA

Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs

24 nC @ 10 V

Vgs (Maks)

±20V

Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

1510 pF @ 20 V

Ciri FET

-

Pelesapan Kuasa (Maks)

3W (Ta), 59W (Tc)

Suhu Operasi

150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej Peranti Pembekal

8-HSOP

Pakej / Kes

8-PowerTDFN

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data

Lembaran Data HTML

RS6G100BGTB1-DG

Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard

2,500

Nama lain

846-RS6G100BGTB1DKR

846-RS6G100BGTB1CT

846-RS6G100BGTB1TR

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Sijil DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produk Berkaitan

rohm-semi

RS6L090BGTB1

NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET

rohm-semi

RS6P060BHTB1

NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE

rohm-semi

RD3L03BBGTL1

NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE

diodes

DMTH45M5LPSW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506