Nombor Produk Pengeluar:
RH6G040BGTB1
Product Overview
Pengeluar:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
RH6G040BGTB1-DG
Penerangan:
NCH 40V 95A, HSMT8, POWER MOSFET
Penerangan Terperinci:
N-Channel 40 V 40A (Tc) 59W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventori:
5281 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12987617
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
RH6G040BGTB1 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
ROHM Semiconductor
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
40 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
40A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
3.6mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 1mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1580 pF @ 20 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
59W (Tc)
Suhu Operasi
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
8-HSMT (3.2x3)
Pakej / Kes
8-PowerVDFN
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
3,000
Nama lain
846-RH6G040BGTB1DKR
846-RH6G040BGTB1TR
846-RH6G040BGTB1CT
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
G02P06
MOSFET P-CH 60V 1.6A,SOT-23
FCHJ85N80-F155
MOSFET N-CH
DMN2310UTQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
