Nombor Produk Pengeluar:
R6530KNZ4C13
Product Overview
Pengeluar:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
R6530KNZ4C13-DG
Penerangan:
650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
Penerangan Terperinci:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 305W (Tc) Through Hole TO-247G
Inventori:
371 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12972899
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
R6530KNZ4C13 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
ROHM Semiconductor
Pembungkusan
Tube
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
650 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
30A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
140mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 960µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2350 pF @ 25 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
305W (Tc)
Suhu Operasi
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-247G
Pakej / Kes
TO-247-3
Nombor Produk Asas
R6530
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
30
Nama lain
846-R6530KNZ4C13
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
IAUS300N04S4N007ATMA1
MOSFET_(20V 40V) PG-HSOG-8
2301
P20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<8
PJL9421_R2_00001
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
