R6086YNZ4C13
Nombor Produk Pengeluar:

R6086YNZ4C13

Product Overview

Pengeluar:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

R6086YNZ4C13-DG

Penerangan:

NCH 600V 86A, TO-247, POWER MOSF
Penerangan Terperinci:
N-Channel 600 V 86A (Tc) 781W (Tc) Through Hole TO-247G

Inventori:

568 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13001156
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

R6086YNZ4C13 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
ROHM Semiconductor
Pembungkusan
Tube
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
600 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
86A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V, 12V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
44mOhm @ 17A, 12V
Vgs(th) (Maks) @ Id
6V @ 4.6mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
5100 pF @ 100 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
781W (Tc)
Suhu Operasi
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-247G
Pakej / Kes
TO-247-3
Nombor Produk Asas
R6086

Lembaran data & Dokumen

Helaian data
R6086YNZ4

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
30
Nama lain
846-R6086YNZ4C13

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Berkaitan
transphorm

TP65H070LDG-TR

650 V 25 A GAN FET

vishay-siliconix

SIRS5800DP-T1-GE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

vishay-siliconix

SQA409CEJW-T1_GE3

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)

vishay-siliconix

SUM70042M-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P