R6061YNXC7G
Nombor Produk Pengeluar:

R6061YNXC7G

Product Overview

Pengeluar:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

R6061YNXC7G-DG

Penerangan:

NCH 600V 26A, TO-220FM, POWER MO
Penerangan Terperinci:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220FM

Inventori:

1000 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13238773
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

R6061YNXC7G Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
ROHM Semiconductor
Pembungkusan
Tube
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
600 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
26A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V, 12V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
60mOhm @ 13A, 12V
Vgs(th) (Maks) @ Id
6V @ 3.5mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3700 pF @ 100 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
100W (Tc)
Suhu Operasi
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-220FM
Pakej / Kes
TO-220-3 Full Pack

Lembaran data & Dokumen

Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
50
Nama lain
846-R6061YNXC7G

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
goford-semiconductor

G300N04D3

MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L

goford-semiconductor

G18N50T

MOSFET N-CH 500V 18A TO-220

goford-semiconductor

G030N06T

MOSFET N-CH 60V 223A TO-220

goford-semiconductor

GT400P10T

MOSFET P-CH 100V 35A TO-220