R6022YNZ4C13
Nombor Produk Pengeluar:

R6022YNZ4C13

Product Overview

Pengeluar:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

R6022YNZ4C13-DG

Penerangan:

NCH 600V 22A, TO-247, POWER MOSF
Penerangan Terperinci:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-247G

Inventori:

600 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13001130
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

R6022YNZ4C13 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
ROHM Semiconductor
Pembungkusan
Tube
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
600 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
22A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V, 12V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
165mOhm @ 6.5A, 12V
Vgs(th) (Maks) @ Id
6V @ 1.8mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1400 pF @ 100 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
205W (Tc)
Suhu Operasi
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-247G
Pakej / Kes
TO-247-3
Nombor Produk Asas
R6022

Lembaran data & Dokumen

Helaian data
R6022YNZ4

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
30
Nama lain
846-R6022YNZ4C13

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Berkaitan
rohm-semi

R6014YND3TL1

NCH 600V 14A, TO-252, POWER MOSF

rohm-semi

R6014YNX3C16

NCH 600V 14A, TO-220AB, POWER MO

panjit

PJQ5453E-AU_R2_002A1

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ5544-AU_R2_002A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M