Nombor Produk Pengeluar:
R6013VNXC7G
Product Overview
Pengeluar:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
R6013VNXC7G-DG
Penerangan:
600V 8A TO-220FM, PRESTOMOS WITH
Penerangan Terperinci:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventori:
1080 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13001925
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
R6013VNXC7G Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
ROHM Semiconductor
Pembungkusan
Tube
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
600 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
8A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V, 15V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
300mOhm @ 3A, 15V
Vgs(th) (Maks) @ Id
6.5V @ 500µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
900 pF @ 100 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
54W (Tc)
Suhu Operasi
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-220FM
Pakej / Kes
TO-220-3 Full Pack
Nombor Produk Asas
R6013VN
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
50
Nama lain
846-R6013VNXC7G
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
ICE10N60FP
Superjunction MOSFET
ICE60N130W
Superjunction MOSFET
SIHK105N60E-T1-GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
