R6009RND3TL1

Nombor Produk Pengeluar:

R6009RND3TL1

Product Overview

Pengeluar:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

R6009RND3TL1-DG

Penerangan:

600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I

Penerangan Terperinci:

N-Channel 600 V 9A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventori:

2650 Pcs Baru Asli Dalam Stok

12995562

Minta Sebut Harga

Kuantiti
Minimum 1

(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam

HANTAR

R6009RND3TL1 Spesifikasi Teknikal

Kategori

FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET

Pengeluar

ROHM Semiconductor

Pembungkusan

Tape & Reel (TR)

Siri

-

Status Produk

Active

Jenis FET

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

600 V

Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C

9A (Tc)

Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)

15V

Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs

665mOhm @ 4.5A, 15V

Vgs(th) (Maks) @ Id

7V @ 5.5mA

Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs

22 nC @ 15 V

Vgs (Maks)

±30V

Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

640 pF @ 100 V

Ciri FET

-

Pelesapan Kuasa (Maks)

125W (Tc)

Suhu Operasi

150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej Peranti Pembekal

TO-252

Pakej / Kes

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Nombor Produk Asas

R6009

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data

Lembaran Data HTML

R6009RND3TL1-DG

Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard

2,500

Nama lain

846-R6009RND3TL1TR

846-R6009RND3TL1DKR

846-R6009RND3TL1CT

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Sijil DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produk Berkaitan

EPC7004BC

GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B

stmicroelectronics

STL52N60DM6

N-CHANNEL 600 V, 0.084 OHM TYP.,

infineon-technologies

ISC019N04NM5ATMA1

40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8

BUK9Y7R6-40E/DMANX

MOSFET