Nombor Produk Pengeluar:
R6006JND3TL1
Product Overview
Pengeluar:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
R6006JND3TL1-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Penerangan Terperinci:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventori:
12 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12850600
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
R6006JND3TL1 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
ROHM Semiconductor
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
600 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
6A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
15V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
936mOhm @ 3A, 15V
Vgs(th) (Maks) @ Id
7V @ 800µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
15.5 nC @ 15 V
Vgs (Maks)
±30V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
410 pF @ 100 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
86W (Tc)
Suhu Operasi
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
TO-252
Pakej / Kes
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nombor Produk Asas
R6006
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
2,500
Nama lain
846-R6006JND3TL1TR
846-R6006JND3TL1DKR
846-R6006JND3TL1CT
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMBOR BAHAGIAN
IPD80R1K2P7ATMA1
PENGELUAR
Infineon Technologies
JUMLAH TERSATU
14924
NOMBOR BAHAGIAN
IPD80R1K2P7ATMA1-DG
HARGA UNIT
0.40
JENIS SUBSTITUSI
MFR Recommended
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
FDN361BN
MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3
R6006KND3TL1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252
FDP8442
MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
