Nombor Produk Pengeluar:
EMA3T2R
Product Overview
Pengeluar:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
EMA3T2R-DG
Penerangan:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W
Penerangan Terperinci:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Inventori:
13523929
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
EMA3T2R Spesifikasi Teknikal
Kategori
Bipolar (BJT), Array Transistor Bipolar, Pra-Biased
Pengeluar
ROHM Semiconductor
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis Transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Semasa - Pengumpul (Ic) (Maks)
100mA
Voltan - Pecahan Pemancar Pemungut (Maks)
50V
Perintang - Asas (R1)
4.7kOhms
Perintang - Pangkalan Pemancar (R2)
-
Keuntungan Arus DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Semasa - Pemotongan Pemungut (Maks)
500nA (ICBO)
Kekerapan - Peralihan
250MHz
Kuasa - Maks
150mW
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Pakej Peranti Pembekal
EMT5
Nombor Produk Asas
EMA3T2
Lembaran data & Dokumen
Dokumen Kebolehpercayaan
Sumber Reka Bentuk
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
8,000
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Model Alternatif
NOMBOR BAHAGIAN
RN2710JE(TE85L,F)
PENGELUAR
Toshiba Semiconductor and Storage
JUMLAH TERSATU
3611
NOMBOR BAHAGIAN
RN2710JE(TE85L,F)-DG
HARGA UNIT
0.05
JENIS SUBSTITUSI
Direct
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
EMD4T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMG8T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
EMB11FHAT2R
TRANS 2PNP 100MA EMT6
