Nombor Produk Pengeluar:

QJD1210SA1

Product Overview

Pengeluar:

Powerex Inc.

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

QJD1210SA1-DG

Penerangan:

SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE

Penerangan Terperinci:

Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A 520W Chassis Mount Module

Inventori:

RFQ Dalam Talian

12841161

Minta Sebut Harga

Kuantiti
Minimum 1

(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam

HANTAR

QJD1210SA1 Spesifikasi Teknikal

Kategori

FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Array

Pengeluar

Powerex

Pembungkusan

-

Siri

-

Status Produk

Obsolete

Teknologi

Silicon Carbide (SiC)

Konfigurasi

2 N-Channel (Dual)

Ciri FET

-

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

1200V (1.2kV)

Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C

100A

Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs

17mOhm @ 100A, 15V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1.6V @ 34mA

Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs

330nC @ 15V

Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

8200pF @ 10V

Kuasa - Maks

520W

Suhu Operasi

-40°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Chassis Mount

Pakej / Kes

Module

Pakej Peranti Pembekal

Module

Nombor Produk Asas

QJD1210

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data

Lembaran Data HTML

Helaian data

QJD1210SA1 Preliminary Datasheet Next Generation Power Semiconductors Brief

Maklumat Tambahan

Pakej Standard

1

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Sijil DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produk Berkaitan

onsemi

NVMFD5C478NWFT1G

MOSFET 2N-CH 40V 9.8A/27A 8DFN

onsemi

MCH6662-TL-H

MOSFET 2N-CH 20V 2A 6MCPH

onsemi

NTHD3102CT1G

MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET

onsemi

MMDF2C03HDR2

MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC