Laman Utama
Produk
Pengeluar
Tentang DiGi
Hubungi Kami
Blog dan Catatan
RFQ/Quotasi
Malaysia
Log Masuk
Bahasa Pilihan
Bahasa pilihan anda:
Malaysia
Tukar:
Bahasa Inggeris
Eropah
United Kingdom
Perancis
Sepanyol
Turki
Moldova
Lithuania
Norway
Jerman
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Bahasa Rusia
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Bahasa Czech
Bahasa Yunani
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Belanda
Sweden
Montenegro
Bahasa Basque
Iceland
Bosnia
Bahasa Hungary
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pasifik
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Bahasa Filipino
Malaysia
Korea
Jepun
Hongkong
Taiwan
Singapura
Pakistan
Arab Saudi
Qatar
Kuwait
Kemboja
Myanmar
Afrika, India dan Timur Tengah
Emiriah Arab Bersatu
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
Afrika Selatan
Mesir
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maghribi
Tunisia
Amerika Selatan / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Amerika Utara
Amerika Syarikat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Tentang DiGi
Tentang Kami
Tentang Kami
Sijil Kami
Pengenalan
Mengapa DiGi
Dasar
Dasar Kualiti
Terma penggunaan
Pematuhan RoHS
Proses Pengembalian
Sumber
Kategori Produk
Pengeluar
Blog dan Catatan
Perkhidmatan
Jaminan Kualiti
Kaedah Pembayaran
Penghantaran Global
Kadar Penghantaran
Soalan Lazim
Nombor Produk Pengeluar:
QJD1210010
Product Overview
Pengeluar:
Powerex Inc.
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
QJD1210010-DG
Penerangan:
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
Penerangan Terperinci:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 1080W Chassis Mount Module
Inventori:
RFQ Dalam Talian
12842237
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
*
Syarikat
*
Nama Kontak
*
Telefon
*
E-mel
Alamat Penghantaran
Mesej
(
*
) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
QJD1210010 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Array
Pengeluar
Powerex
Pembungkusan
-
Siri
-
Status Produk
Discontinued at Digi-Key
Teknologi
Silicon Carbide (SiC)
Konfigurasi
2 N-Channel (Dual)
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
1200V (1.2kV)
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
25mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 10mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
500nC @ 20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
10200pF @ 800V
Kuasa - Maks
1080W
Suhu Operasi
-40°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Chassis Mount
Pakej / Kes
Module
Pakej Peranti Pembekal
Module
Nombor Produk Asas
QJD1210
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
QJD1210010
Lembaran Data HTML
QJD1210010-DG
Helaian data
QJD1210010 Preliminary Datasheet
Full SiC & Hybride SiC IGBTs Brief
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
1
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
NVMD6P02R2G
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
MCH6663-TL-H
MOSFET N/P-CH 30V 1.8A 6MCPH
NTMFD5C650NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN
NTGD3133PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP