Nombor Produk Pengeluar:

QJD1210010

Product Overview

Pengeluar:

Powerex Inc.

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

QJD1210010-DG

Penerangan:

SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE

Penerangan Terperinci:

Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 1080W Chassis Mount Module

Inventori:

RFQ Dalam Talian

12842237

Minta Sebut Harga

Kuantiti
Minimum 1

(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam

HANTAR

QJD1210010 Spesifikasi Teknikal

Kategori

FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Array

Pengeluar

Powerex

Pembungkusan

-

Siri

-

Status Produk

Discontinued at Digi-Key

Teknologi

Silicon Carbide (SiC)

Konfigurasi

2 N-Channel (Dual)

Ciri FET

-

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

1200V (1.2kV)

Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C

100A (Tc)

Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs

25mOhm @ 100A, 20V

Vgs(th) (Maks) @ Id

5V @ 10mA

Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs

500nC @ 20V

Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

10200pF @ 800V

Kuasa - Maks

1080W

Suhu Operasi

-40°C ~ 175°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Chassis Mount

Pakej / Kes

Module

Pakej Peranti Pembekal

Module

Nombor Produk Asas

QJD1210

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data

Lembaran Data HTML

Helaian data

QJD1210010 Preliminary Datasheet Full SiC & Hybride SiC IGBTs Brief

Maklumat Tambahan

Pakej Standard

1

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Sijil DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produk Berkaitan

onsemi

NVMD6P02R2G

MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

onsemi

MCH6663-TL-H

MOSFET N/P-CH 30V 1.8A 6MCPH

onsemi

NTMFD5C650NLT1G

MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN

onsemi

NTGD3133PT1G

MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP