QJD1210010
Nombor Produk Pengeluar:

QJD1210010

Product Overview

Pengeluar:

Powerex Inc.

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

QJD1210010-DG

Penerangan:

SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
Penerangan Terperinci:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 1080W Chassis Mount Module

Inventori:

12842237
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

QJD1210010 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Array
Pengeluar
Powerex
Pembungkusan
-
Siri
-
Status Produk
Discontinued at Digi-Key
Teknologi
Silicon Carbide (SiC)
Konfigurasi
2 N-Channel (Dual)
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
1200V (1.2kV)
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
25mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 10mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
500nC @ 20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
10200pF @ 800V
Kuasa - Maks
1080W
Suhu Operasi
-40°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Chassis Mount
Pakej / Kes
Module
Pakej Peranti Pembekal
Module
Nombor Produk Asas
QJD1210

Lembaran data & Dokumen

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
1

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
onsemi

NVMD6P02R2G

MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

onsemi

MCH6663-TL-H

MOSFET N/P-CH 30V 1.8A 6MCPH

onsemi

NTMFD5C650NLT1G

MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN

onsemi

NTGD3133PT1G

MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP