Nombor Produk Pengeluar:

NXV08B800DT1

Product Overview

Pengeluar:

onsemi

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

NXV08B800DT1-DG

Penerangan:

MOSFET 80V APM17-MDC

Penerangan Terperinci:

Mosfet Array 80V Through Hole APM17-MDC

Inventori:

RFQ Dalam Talian

12994117

Minta Sebut Harga

Kuantiti
Minimum 1

(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam

HANTAR

NXV08B800DT1 Spesifikasi Teknikal

Kategori

FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Array

Pengeluar

onsemi

Pembungkusan

-

Siri

-

Status Produk

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Ciri FET

-

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

80V

Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C

-

Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs

0.46mOhm @ 160A, 12V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4.6V @ 1mA

Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs

502nC @ 12V

Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

30150pF @ 40V

Kuasa - Maks

-

Suhu Operasi

-40°C ~ 125°C (TA)

Gred

Automotive

Kelayakan

AEC-Q101

Jenis Pemasangan

Through Hole

Pakej / Kes

17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)

Pakej Peranti Pembekal

APM17-MDC

Nombor Produk Asas

NXV08

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data

Lembaran Data HTML

NXV08B800DT1-DG

Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard

10

Nama lain

488-NXV08B800DT1

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.39.0001

Sijil DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produk Berkaitan

goford-semiconductor

G120P03S2

MOSFET 30V 16A 8SOP

SMA5113

MOSFET 4N-CH 450V 7A 12SIP

diodes

DMN61D9UDW-13-50

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

micro-commercial-components

BSS138BKDW-TPQ2

MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363