Nombor Produk Pengeluar:
NVBG030N120M3S
Product Overview
Pengeluar:
onsemi
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
NVBG030N120M3S-DG
Penerangan:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Penerangan Terperinci:
N-Channel 1200 V 77A (Tc) 348W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventori:
780 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13255996
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
NVBG030N120M3S Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
onsemi
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
1200 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
77A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
18V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
39mOhm @ 30A, 18V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.4V @ 15mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
107 nC @ 18 V
Vgs (Maks)
+22V, -10V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2430 pF @ 800 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
348W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gred
Automotive
Kelayakan
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
D2PAK-7
Pakej / Kes
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
800
Nama lain
488-NVBG030N120M3STR
488-NVBG030N120M3SCT
488-NVBG030N120M3SDKR
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMBOR BAHAGIAN
NTBG030N120M3S
PENGELUAR
onsemi
JUMLAH TERSATU
797
NOMBOR BAHAGIAN
NTBG030N120M3S-DG
HARGA UNIT
11.19
JENIS SUBSTITUSI
Parametric Equivalent
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
NVBG070N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
NTBLS0D8N08XTXG
MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN
NVH4L095N065SC1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC