NTHL025N065SC1
Nombor Produk Pengeluar:

NTHL025N065SC1

Product Overview

Pengeluar:

onsemi

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

NTHL025N065SC1-DG

Penerangan:

SIC MOS TO247-3L 650V
Penerangan Terperinci:
N-Channel 650 V 99A (Tc) 348W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventori:

208 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12986941
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

NTHL025N065SC1 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
onsemi
Pembungkusan
Tube
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
650 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
99A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
15V, 18V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
28.5mOhm @ 45A, 18V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.3V @ 15.5mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
164 nC @ 18 V
Vgs (Maks)
+22V, -8V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3480 pF @ 325 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
348W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-247-3
Pakej / Kes
TO-247-3

Lembaran data & Dokumen

Helaian data
NTHL025N065SC1

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
450
Nama lain
488-NTHL025N065SC1

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Berkaitan
onsemi

NTTFS6H860NTAG

TRENCH 8 80V NFET

vishay-siliconix

SIR184LDP-T1-RE3

N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE

diodes

DMT67M8LSS-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2

diodes

DMG4496SSSQ-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2