NTC080N120SC1
Nombor Produk Pengeluar:

NTC080N120SC1

Product Overview

Pengeluar:

onsemi

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

NTC080N120SC1-DG

Penerangan:

SIC MOS WAFER SALES 80MOHM 1200V
Penerangan Terperinci:
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 178W (Tc) Surface Mount Die

Inventori:

12973508
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

NTC080N120SC1 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
onsemi
Pembungkusan
-
Siri
-
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
1200 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
31A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
20V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
110mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.3V @ 5mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
56 nC @ 20 V
Vgs (Maks)
+25V, -15V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1112 pF @ 800 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
178W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
Die
Pakej / Kes
Die

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
Lembaran Data HTML

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
1
Nama lain
488-NTC080N120SC1

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
fairchild-semiconductor

NDP708AE

60A, 80V, 0.022OHM, N-CHANNEL MO

panjit

PJD9P06A_L2_00001

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD8NA50_R2_00001

500V N-CHANNEL MOSFET

rohm-semi

SCT2280KEGC11

1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE