NTBS9D0N10MC
Nombor Produk Pengeluar:

NTBS9D0N10MC

Product Overview

Pengeluar:

onsemi

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

NTBS9D0N10MC-DG

Penerangan:

MOSFET N-CH 100V 14A/60A TO263
Penerangan Terperinci:
N-Channel 100 V 14A (Ta), 60A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventori:

1370 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12976029
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

NTBS9D0N10MC Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
onsemi
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
100 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
14A (Ta), 60A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
6V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
9mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 131µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1695 pF @ 50 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
TO-263 (D2PAK)
Pakej / Kes
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nombor Produk Asas
NTBS9

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
800
Nama lain
488-NTBS9D0N10MCTR
2832-NTBS9D0N10MC
488-NTBS9D0N10MCDKR
488-NTBS9D0N10MCCT

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
toshiba-semiconductor-and-storage

TK090Z65Z,S1F

MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L

vishay-siliconix

SIDR510EP-T1-RE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE

vishay-siliconix

SIDR570EP-T1-RE3

N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE

vishay-siliconix

SQJ140ELP-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)