NTBG028N170M1

Nombor Produk Pengeluar:

NTBG028N170M1

Product Overview

Pengeluar:

onsemi

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

NTBG028N170M1-DG

Penerangan:

SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER

Penerangan Terperinci:

N-Channel 1700 V 71A (Tc) 428W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

Inventori:

795 Pcs Baru Asli Dalam Stok

13002003

Minta Sebut Harga

Kuantiti
Minimum 1

(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam

HANTAR

NTBG028N170M1 Spesifikasi Teknikal

Kategori

FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET

Pengeluar

onsemi

Pembungkusan

Tape & Reel (TR)

Siri

-

Status Produk

Active

Jenis FET

N-Channel

Teknologi

SiCFET (Silicon Carbide)

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

1700 V

Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C

71A (Tc)

Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)

20V

Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs

40mOhm @ 60A, 20V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4.3V @ 20mA

Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs

222 nC @ 20 V

Vgs (Maks)

+25V, -15V

Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

4160 pF @ 800 V

Ciri FET

-

Pelesapan Kuasa (Maks)

428W (Tc)

Suhu Operasi

-55°C ~ 175°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej Peranti Pembekal

D2PAK-7

Pakej / Kes

TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

Nombor Produk Asas

NTBG028

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data

Lembaran Data HTML

NTBG028N170M1-DG

Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard

800

Nama lain

488-NTBG028N170M1TR

488-NTBG028N170M1CT

488-NTBG028N170M1DKR

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Sijil DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produk Berkaitan

goford-semiconductor

G630J

N200V, 9A,RD<0.28@10V,VTH1.0V~3.

icemos-technology

ICE10N60B

Superjunction MOSFET

goford-semiconductor

G400P06T

P-60V,-32A,RD(MAX)<40M@-10V,VTH-

micro-commercial-components

MCU18N20A-TP

MOSFET N-CH ENH FET 200VDS 30VGS