Nombor Produk Pengeluar:
FQD6N60CTM-WS
Product Overview
Pengeluar:
onsemi
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
FQD6N60CTM-WS-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Penerangan Terperinci:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventori:
12847846
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
FQD6N60CTM-WS Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
onsemi
Pembungkusan
-
Siri
QFET®
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
600 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
4A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
810 pF @ 25 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
80W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
TO-252AA
Pakej / Kes
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nombor Produk Asas
FQD6N60
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
2,500
Nama lain
FQD6N60CTM_WS
FQD6N60CTM_WS-DG
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMBOR BAHAGIAN
IPD60R2K1CEAUMA1
PENGELUAR
Infineon Technologies
JUMLAH TERSATU
10286
NOMBOR BAHAGIAN
IPD60R2K1CEAUMA1-DG
HARGA UNIT
0.17
JENIS SUBSTITUSI
Similar
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
