Nombor Produk Pengeluar:
FQAF8N80
Product Overview
Pengeluar:
onsemi
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
FQAF8N80-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 800V 5.9A TO3PF
Penerangan Terperinci:
N-Channel 800 V 5.9A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventori:
12850481
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
FQAF8N80 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
onsemi
Pembungkusan
-
Siri
QFET®
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
800 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
5.9A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2.95A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2350 pF @ 25 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
107W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-3PF
Pakej / Kes
TO-3P-3 Full Pack
Nombor Produk Asas
FQAF8
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
360
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMBOR BAHAGIAN
IRFPE50PBF
PENGELUAR
Vishay Siliconix
JUMLAH TERSATU
353
NOMBOR BAHAGIAN
IRFPE50PBF-DG
HARGA UNIT
2.07
JENIS SUBSTITUSI
Similar
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
FQP8N90C
MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220-3
AO5404EL
MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
FDFME3N311ZT
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
