FQA6N80

Nombor Produk Pengeluar:

FQA6N80

Product Overview

Pengeluar:

onsemi

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

FQA6N80-DG

Penerangan:

MOSFET N-CH 800V 6.3A TO3P

Penerangan Terperinci:

N-Channel 800 V 6.3A (Tc) 185W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventori:

RFQ Dalam Talian

12836737

Minta Sebut Harga

Kuantiti
Minimum 1

(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam

HANTAR

FQA6N80 Spesifikasi Teknikal

Kategori

FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET

Pengeluar

onsemi

Pembungkusan

-

Siri

QFET®

Status Produk

Obsolete

Jenis FET

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

800 V

Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C

6.3A (Tc)

Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)

10V

Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs

1.95Ohm @ 3.15A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

5V @ 250µA

Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs

31 nC @ 10 V

Vgs (Maks)

±30V

Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

1500 pF @ 25 V

Ciri FET

-

Pelesapan Kuasa (Maks)

185W (Tc)

Suhu Operasi

-55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Through Hole

Pakej Peranti Pembekal

TO-3P

Pakej / Kes

TO-3P-3, SC-65-3

Nombor Produk Asas

FQA6

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data

Lembaran Data HTML

Maklumat Tambahan

Pakej Standard

30

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Sijil DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produk Berkaitan

onsemi

FDS6575

MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

onsemi

FDS6680S

MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC

onsemi

CPH3456-TL-W

MOSFET N-CH 20V 3.5A 3CPH

onsemi

FDMS8888

MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN