FDMT800120DC-22897
Nombor Produk Pengeluar:

FDMT800120DC-22897

Product Overview

Pengeluar:

onsemi

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

FDMT800120DC-22897-DG

Penerangan:

FET 120V 4.2 MOHM PQFN88
Penerangan Terperinci:
N-Channel 120 V 20A (Ta), 128A (Tc) 3.2W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-Dual Cool™88

Inventori:

13001018
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

FDMT800120DC-22897 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
onsemi
Pembungkusan
-
Siri
PowerTrench®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
120 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
20A (Ta), 128A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
6V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
7850 pF @ 60 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
3.2W (Ta), 156W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
8-Dual Cool™88
Pakej / Kes
8-PowerVDFN

Lembaran data & Dokumen

Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
3,000
Nama lain
488-FDMT800120DC-22897TR

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
taiwan-semiconductor

TSM80N950CP

800V, 6A, SINGLE N-CHANNEL POWER

transphorm

TP65H050G4BS

650 V 34 A GAN FET

goford-semiconductor

G08N06S

MOSFET N-CH 60V 5A SOP-8

goford-semiconductor

GT095N10D5

N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15