FDMS86200

Nombor Produk Pengeluar:

FDMS86200

Product Overview

Pengeluar:

onsemi

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

FDMS86200-DG

Penerangan:

MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN

Penerangan Terperinci:

N-Channel 150 V 9.6A (Ta), 35A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventori:

21294 Pcs Baru Asli Dalam Stok

12847284

Minta Sebut Harga

Kuantiti
Minimum 1

(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam

HANTAR

FDMS86200 Spesifikasi Teknikal

Kategori

FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET

Pengeluar

onsemi

Pembungkusan

Tape & Reel (TR)

Siri

PowerTrench®

Status Produk

Active

Jenis FET

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

150 V

Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C

9.6A (Ta), 35A (Tc)

Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)

6V, 10V

Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs

18mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs

46 nC @ 10 V

Vgs (Maks)

±20V

Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

2715 pF @ 75 V

Ciri FET

-

Pelesapan Kuasa (Maks)

2.5W (Ta), 104W (Tc)

Suhu Operasi

-55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej Peranti Pembekal

8-PQFN (5x6)

Pakej / Kes

8-PowerTDFN

Nombor Produk Asas

FDMS86

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data

Lembaran Data HTML

Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard

3,000

Nama lain

2156-FDMS86200-488

FDMS86200DKR

2832-FDMS86200-488

FDMS86200TR

FDMS86200CT

2832-FDMS86200TR

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Sijil DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produk Berkaitan

onsemi

NVMFS5A140PLZWFT1G

MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN

FDC655BN

MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6

onsemi

FDD18N20LZ

MOSFET N-CH 200V 16A DPAK

onsemi

FDR4420A

MOSFET N-CH 30V 11A SUPERSOT8