Nombor Produk Pengeluar:
FDMS3660AS
Product Overview
Pengeluar:
onsemi
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
FDMS3660AS-DG
Penerangan:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56
Penerangan Terperinci:
Mosfet Array 30V 13A, 30A 1W Surface Mount Power56
Inventori:
12839805
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
FDMS3660AS Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Array
Pengeluar
onsemi
Pembungkusan
-
Siri
PowerTrench®
Status Produk
Obsolete
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurasi
2 N-Channel (Dual)
Ciri FET
Logic Level Gate
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
30V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
13A, 30A
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.7V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
30nC @ 10V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2230pF @ 15V
Kuasa - Maks
1W
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
8-PowerTDFN
Pakej Peranti Pembekal
Power56
Nombor Produk Asas
FDMS3660
Lembaran data & Dokumen
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
3,000
Nama lain
FDMS3660ASDKR
FDMS3660ASCT
2832-FDMS3660ASTR
FDMS3660ASTR
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMBOR BAHAGIAN
NTMFD4C20NT1G
PENGELUAR
onsemi
JUMLAH TERSATU
3
NOMBOR BAHAGIAN
NTMFD4C20NT1G-DG
HARGA UNIT
1.94
JENIS SUBSTITUSI
Similar
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
FDME1023PZT
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
EFC6618R-A-TF
MOSFET 2N-CH EFCP
ECH8619-TL-E
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8ECH
